Рекомендованная цена для младшей модели линейки ориентировочно составит 249 долларов США. Модель с гигабайтом памяти обойдется в 299 долларов. Примечательно, что анонсированы два варианта старшей видеокарты, отличающиеся только длиной (соответственно и тепловыделением) системы охлаждения - девять и 12 дюймов. Платы с 12-дюймовым охлаждающим модулем обычно распространяются только по OEM и между производителями игровых компьютеров, таких как XPS от Dell, или детище Hewlett-Packard - Blackbird. На этот раз AMD не указала на вариант распространения новинки, что может означать выход карты с усиленным охлаждением в "коробочном" варианте.

В первом квартале 2008 года компания Intel выпустит еще несколько моделей серверных процессоров, на этот раз экономичные варианты четырехъядерных Xeon - L5420 и L5410. Указанные модели будут функционировать на частоте 2,5 ГГц и 2,33 ГГц соответственно. А еще одной недорогой и "маломощной" процессорной новинкой станет двухъядерная модель L5250, рабочая частота которой - 3,16 ГГц. Появится L5250 также в первом квартале следующего года.

Материалы по теме:

Компания Qimonda AG, подразделение Infineon Technologies, внесла очередной вклад в продвижение передового стандарта памяти DDR3. Официальным пресс-релизом объявлено о выходе модулей XTUNE DDR3-1333 (PC3-10600), которые будут продаваться под торговой маркой Aeneon, принадлежащей Qimonda. Новая память, как и все современные DDR3-продукты, ориентирована, в первую очередь, на компьютерных энтузиастов и предназначены для производительных платформ на базе чипсетов Intel P35/X38 Express.

Модули Aeneon XTUNE DDR3-1333 способны работать на эффективной частоте 1333 МГц с задержками CL8-8-8-15 при напряжении питания 1,5 В. Стоит отметить, что данные показатели отнюдь не рекордные в своём классе. Например, компания OCZ Technology ещё в июне представила модули DDR3-1333 с таймингами CL7-7-7-20, а в ассортимент Super Talent в прошлом месяце зачислены топовые оверклокерские продукты DDR3-1800 с довольно жёсткими задержками CL7-7-7-21. Однако, в отличие от конкурентов, память XTUNE DDR3-1333 работает на стандартном для DDR3 напряжении питания - 1,5 В.

Избежать перегрева 16 микросхемам памяти в корпусах FBGA помогает качественный радиатор чёрного цвета, который, вдобавок ко всему, прекрасно справляется с эстетической функцией. Остаётся добавить, что новая DDR3-память от Qimonda доступна как в виде 1-Гб модулей, так и в составе протестированных на совместимость 2-Гб двухканальных наборов (AXH760UD00-13G, 2x1 Гб). Производитель утверждает о доступности новой памяти Aeneon XTUNE DDR3-1333 через европейскую дилерскую сеть с момента анонса и называет рекомендованную стоимость пары 1-Гб модулей - $400

Как известно, емкость жесткого диска зависит от величины элементарных частиц - доменов, формирующих на магнитной пластине логические нули и единицы, или, другими словами, от плотности записи информации. Современные головки, основанные на принципе туннельного перехода электронов, способны считывать данные с плотностью записи 200 Гбит на квадратный дюйм, но при увеличении плотности становятся ненадежными.

На сегодняшний день специалистами различных компаний созданы технологии, позволяющие вмещать от 500 до 1000 Гбит данных на один квадратный дюйм. Таким образом, головки являются главным сдерживающим фактором для дальнейшего увеличения объемов магнитных накопителей. Теперь специалистам Hitachi GST удалось разрешить эту проблему.

В отличие от современных магнитных головок, в которых электроны перемещаются в плоскости, параллельной плоскости магнитной пластины, в новой магнитной головке CPP-GMR (Current Perpendicular-to-the-Plane Giant Magneto-Resistive) электроны двигаются в перпендикулярном направлении. Благодаря этому ее удалось уменьшить до невероятных размеров – ширина головки составляет всего от 30 до 50 нм.

По словам официальных представителей компании, уже в 2009 г. будут выпущены винчестеры, в которых головка сможет считывать элементарные частицы с размером 50 нм (плотность записи - около 500 Гбит на квадратный дюйм), а к 2011 г. размер корректно считываемой площадки уменьшиться до 30 нм.

По словам аналитика IDC Джона Риднинга (John Rydning), разработкой подобных головок занимаются и другие производители. Он полагает, что в целом индустрия начнет переходить к подобным жестким дискам в 2009 г.

В ближайшие годы японские ученые, совместно со своими коллегами из других стран, планируют выпустить новый тип транзистора – с окружающим затвором. По данным специалистов, чипы на базе нового транзистора будут работать в 10 раз быстрее современных решений кремниевой промышленности, выделять меньше тепла и дешевле стоить.

Основанная в 2004 г. японская исследовательская компания Unisantis Electronics в ближайшее время собирается разработать новый транзистор — базовый элемент любой интегральной схемы, — использование которого позволит увеличить скорость работы современных чипов в 10 раз.

Новая разработка получила название «транзистор с окружающим затвором» (Surrounding Gate Transistor, SGT) и — как утверждают ученые — является первым в мире транзистором, расположенным в трехмерном пространстве. Транзистор состоит из вертикального кремниевого стержня, окруженного ячейками памяти, электрическими контактами и другими элементами. Коллектор, эмиттер и база транзистора находятся в 3D-пространстве, а не в двумерной плоскости, как сейчас. По словам инженеров, такая конструкция значительно сокращает дистанцию, которую в процессе функционирования чипа должны преодолевать электроны. Использование таких транзисторов в будущем позволит десятикратно увеличить скорость работы чипов, а также понизить их тепловыделение. Тактовая частота процессоров на базе SGT сможет достигать 20 и даже 50 ГГц. Кроме того, по словам ученых, новые чипы на базе транзисторов с окружающим затвором будут дешевле по сравнению с нынешними продуктами.

Для создания нового транзистора компания Unisantis объявила о начале сотрудничества с сингапурским Институтом микроэлектроники (Institute of Microelectronics). В ближайшее время будет сформирована рабочая группа, которая включит более 30 специалистов из Сингапура, Китая, Кореи, Малайзии и Тайваня. Ее возглавит главный технический директор Unisantis, профессор Фуджио Масуока (Fujio Masuoka), который известен, прежде всего, как изобретатель энергонезависимой флэш-памяти, используемой ныне в тысяче устройств по всему миру. Институт микроэлектроники обеспечит команду необходимыми знаниями в области изготовления полупроводников по технологии CMOS, а также предоставит современное техническое оснащение. Совместная работа будет длиться на протяжении следующих двух лет и, в случае необходимости, продолжится дальше.

«В плане размера и скорости работы потенциала SGT будет достаточно на протяжении следующих 30 лет, пока не будет достигнуты его теоретические границы», — заявляет Масуока. По его словам, разработка такого транзистора велась им на протяжении 20 лет.

Источник

во, во а у меня всего 20 гб

Добавлено (13.12.2007, 10:54)
---------------------------------------------

Добавлено (13.12.2007, 10:55)
---------------------------------------------
у меня комп скора жёсткой информацией подавиться :lOl; :LOL:

Добавлено (13.12.2007, 10:56)
---------------------------------------------

Добавлено (13.12.2007, 10:57)
---------------------------------------------

Добавлено (13.12.2007, 10:58)
---------------------------------------------